TPN4R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
部品番号
TPN4R712MD,L1Q
メーカー/ブランド
シリーズ
U-MOSVI
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-TSON Advance (3.3x3.3)
消費電力(最大)
42W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.2V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
65nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4300pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±12V
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