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TPW4R008NH,L1Q

TPW4R008NH,L1Q

MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
部品番号
TPW4R008NH,L1Q
メーカー/ブランド
シリーズ
U-MOSVIII-H
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-DSOP Advance
消費電力(最大)
800mW (Ta), 142W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
80V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
116A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
59nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5300pF @ 40V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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