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TP90H180PS

TP90H180PS

MOSFET N-CH 900V 15A TO220AB
部品番号
TP90H180PS
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
消費電力(最大)
78W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
900V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
205 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.6V @ 500µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
10nC @ 8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
780pF @ 600V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±18V
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