TPD3215M
CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
部品番号
TPD3215M
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Last Time Buy
包装
Bulk
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
Module
パワー - 最大
470W
サプライヤーデバイスパッケージ
Module
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FETの特徴
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
28nC @ 8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2260pF @ 100V
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