HCT7000M
MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
部品番号
HCT7000M
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Bulk
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
3-SMD, No Lead
サプライヤーデバイスパッケージ
3-SMD
消費電力(最大)
300mW (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
60pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±40V
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