HCT802TXV
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
部品番号
HCT802TXV
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Bulk
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-SMD, No Lead
パワー - 最大
500mW
サプライヤーデバイスパッケージ
6-SMD
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
90V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2A, 1.1A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
70pF @ 25V
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