SI2300DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
部品番号
SI2300DS-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
消費電力(最大)
1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
68 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
10nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
320pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±12V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 5845 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード SI2300DS-T1-GE3
SI2300DS-T1-GE3 電子部品
SI2300DS-T1-GE3 売上
SI2300DS-T1-GE3 サプライヤー
SI2300DS-T1-GE3 ディストリビュータ
SI2300DS-T1-GE3 データテーブル
SI2300DS-T1-GE3の写真
SI2300DS-T1-GE3 価格
SI2300DS-T1-GE3 オファー
SI2300DS-T1-GE3 最安値
SI2300DS-T1-GE3 検索
SI2300DS-T1-GE3 を購入中
SI2300DS-T1-GE3 チップ