SI2337DS-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
部品番号
SI2337DS-T1-E3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
消費電力(最大)
760mW (Ta), 2.5W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
80V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
270 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
17nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
500pF @ 40V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
6V, 10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 15869 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード SI2337DS-T1-E3
SI2337DS-T1-E3 電子部品
SI2337DS-T1-E3 売上
SI2337DS-T1-E3 サプライヤー
SI2337DS-T1-E3 ディストリビュータ
SI2337DS-T1-E3 データテーブル
SI2337DS-T1-E3の写真
SI2337DS-T1-E3 価格
SI2337DS-T1-E3 オファー
SI2337DS-T1-E3 最安値
SI2337DS-T1-E3 検索
SI2337DS-T1-E3 を購入中
SI2337DS-T1-E3 チップ