SI2366DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
部品番号
SI2366DS-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
-
消費電力(最大)
1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
36 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
10nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
335pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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