画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
SI3529DV-T1-E3

SI3529DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
部品番号
SI3529DV-T1-E3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
パワー - 最大
1.4W
サプライヤーデバイスパッケージ
6-TSOP
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
40V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.5A, 1.95A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
125 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
7nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
205pF @ 20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 36704 PCS
連絡先
のキーワード SI3529DV-T1-E3
SI3529DV-T1-E3 電子部品
SI3529DV-T1-E3 売上
SI3529DV-T1-E3 サプライヤー
SI3529DV-T1-E3 ディストリビュータ
SI3529DV-T1-E3 データテーブル
SI3529DV-T1-E3の写真
SI3529DV-T1-E3 価格
SI3529DV-T1-E3 オファー
SI3529DV-T1-E3 最安値
SI3529DV-T1-E3 検索
SI3529DV-T1-E3 を購入中
SI3529DV-T1-E3 チップ