Vishay Siliconix SI4500BDY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC を購入

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SI4500BDY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

部品番号

SI4500BDY-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

パワー - 最大

1.3W

サプライヤーデバイスパッケージ

8-SO

FETタイプ

N and P-Channel, Common Drain

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

6.6A, 3.8A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

20 mOhm @ 9.1A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

17nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

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