Vishay Siliconix SI7530DP-T1-E3 MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8 を購入

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SI7530DP-T1-E3

MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

部品番号

SI7530DP-T1-E3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SO-8 Dual

パワー - 最大

1.4W, 1.5W

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SO-8 Dual

FETタイプ

N and P-Channel

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

60V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

3A, 3.2A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

75 mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

20nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

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