Vishay Siliconix SIA106DJ-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70 を購入

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SIA106DJ-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70

部品番号

SIA106DJ-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET® Gen IV

部品のステータス

Active

包装

Digi-Reel®

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SC-70-6

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SC-70-6 Single

消費電力(最大)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

60V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

10A (Ta), 12A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

18.5 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

13.5nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

540pF @ 30V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

7.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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