Vishay Siliconix SIE802DF-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

SIE802DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK

部品番号

SIE802DF-T1-E3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

10-PolarPAK® (L)

サプライヤーデバイスパッケージ

10-PolarPAK® (L)

消費電力(最大)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

1.9 mOhm @ 23.6A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.7V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

160nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

7000pF @ 15V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 22565 PCS

連絡先

関連製品

SIE800DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK