Vishay Siliconix SIE836DF-T1-E3 MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK を購入

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SIE836DF-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

部品番号

SIE836DF-T1-E3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

10-PolarPAK® (SH)

サプライヤーデバイスパッケージ

10-PolarPAK® (SH)

消費電力(最大)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

200V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

18.3A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

130 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

41nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1200pF @ 100V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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