SIHH100N60E-T1-GE3
MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X
部品番号
SIHH100N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
E
部品のステータス
Active
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® 8 x 8
消費電力(最大)
174W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
100 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
53nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1850pF @ 100V
Vgs (最大)
±30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
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