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SIHP100N60E-GE3

SIHP100N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V TO-220AB
部品番号
SIHP100N60E-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
E
部品のステータス
Active
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
消費電力(最大)
208W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
100 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
50nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1851pF @ 100V
Vgs (最大)
±30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
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