Vishay Siliconix SIS888DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S を購入

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SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

部品番号

SIS888DN-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

ThunderFET®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TA)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® 1212-8S

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

消費電力(最大)

52W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

150V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

20.2A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

58 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.2V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

14.5nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

420pF @ 75V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

7.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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