Vishay Siliconix SIZ904DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR を購入

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DataSheets

SIZ904DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

部品番号

SIZ904DT-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Discontinued at Digi-Key

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

6-PowerPair™

パワー - 最大

20W, 33W

サプライヤーデバイスパッケージ

6-PowerPair™

FETタイプ

2 N-Channel (Half Bridge)

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

12A, 16A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

24 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

12nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

435pF @ 15V

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