Vishay Siliconix SIZ926DT-T1-GE3 MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR を購入

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SIZ926DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

部品番号

SIZ926DT-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET® Gen IV

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-PowerWDFN

パワー - 最大

20.2W, 40W

サプライヤーデバイスパッケージ

8-PowerPair® (6x5)

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Standard

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

25V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

40A (Tc), 60A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.2V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

19nC @ 10V, 41nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

925pF @ 10V, 2150pF @ 10V

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