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SIZ980DT-T1-GE3

SIZ980DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
部品番号
SIZ980DT-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerWDFN
パワー - 最大
20W, 66W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PowerPair®
FETタイプ
2 N-Channel (Dual), Schottky
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
6.7 mOhm @ 15A, 10V, 1.6 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
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