Vishay Siliconix SIZ998DT-T1-GE3 MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR を購入

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SIZ998DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

部品番号

SIZ998DT-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-PowerWDFN

パワー - 最大

20.2W, 32.9W

サプライヤーデバイスパッケージ

8-PowerPair®

FETタイプ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FETの特徴

Standard

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

20A (Tc), 60A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.2V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

930pF @ 15V, 2620pF @ 15V

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