SQ2301ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
部品番号
SQ2301ES-T1_GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-236 (SOT-23)
消費電力(最大)
3W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
8nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
425pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
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