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SQ4153EY-T1_GE3

SQ4153EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
部品番号
SQ4153EY-T1_GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
消費電力(最大)
7.1W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8.32 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
900mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
151nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
11000pF @ 6V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.8V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
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