Vishay Siliconix SQJ200EP-T1_GE3 MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO を購入

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SQJ200EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

部品番号

SQJ200EP-T1_GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Digi-Reel®

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SO-8 Dual

パワー - 最大

27W, 48W

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Standard

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

20A, 60A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

8.8 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

18nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

975pF @ 10V

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