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SQJ500AEP-T1_GE3

SQJ500AEP-T1_GE3

MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
部品番号
SQJ500AEP-T1_GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
PowerPAK® SO-8 Dual
パワー - 最大
48W
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8 Dual
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
40V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
27 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
38.1nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1850pF @ 20V
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