SQJ570EP-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
部品番号
SQJ570EP-T1_GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
PowerPAK® SO-8 Dual
パワー - 最大
27W
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8 Dual
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
20nC @ 10V, 15nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
650pF @ 25V, 600pF @ 25V
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