SQS966ENW-T1_GE3
MOSFET N-CHAN 60V
部品番号
SQS966ENW-T1_GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
PowerPAK® 1212-8W
パワー - 最大
27.8W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® 1212-8W
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
36 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
8.8nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
572pF @ 25V
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