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VQ2001P-2

VQ2001P-2

MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
部品番号
VQ2001P-2
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
14-DIP
パワー - 最大
2W
サプライヤーデバイスパッケージ
14-DIP
FETタイプ
4 P-Channel
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
600mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2 Ohm @ 1A, 12V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
150pF @ 15V
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