Triode/MOS tube/transistor/module
NCE (Wuxi New Clean Energy)
メーカー
DIODES (US and Taiwan)
メーカー
N-channel, 600V, 7A, 1.2Ω@10V
説明
ST (STMicroelectronics)
メーカー
NCE (Wuxi New Clean Energy)
メーカー
NPN Vo=50V Io=0.1A PD=0.2W R1=4.7K R2=10K
説明
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
メーカー
ST (STMicroelectronics)
メーカー
40A, 600V, triac, same as BTA41-600
説明
AGM-Semi (core control source)
メーカー
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 5.0A Power (Pd): 3.1W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 100mΩ@10V,4A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 3.57nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.182nF@50V , Vds=100V Id=5.0A Rds=100mΩ ,Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
説明