Triode/MOS tube/transistor/module
Transistor type: NPN Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 45V Collector current (Ic): 500mA Power (Pd): 300mW DC current gain (hFE@Ic,Vce): 160@100mA,1V
説明
GOFORD (valley peak)
メーカー
N-channel 60V, 20A, 80mΩ@4.5V
説明
DIODES (US and Taiwan)
メーカー
PNP, Vceo=-350V, Ic=-500mA
説明
DIODES (US and Taiwan)
メーカー
PNP, Vceo=-45V, Ic=-500mA, hfe=100~600
説明
DIODES (US and Taiwan)
メーカー
N-channel, 600V, 4.5A, 2.5Ω@10V
説明
N-channel, 600V, 4.5A, 2.5Ω@10V
説明