onsemi (Ansemi)
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FDMD86100
Dual N-Channel Gate Shielded PowerTrench MOSFETs
部品番号
FDMD86100
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
PDFN-8(5x6)
パッキング
taping
パッケージの数
3000
説明
The encapsulation integrates two N-channel devices connected internally in a common-source configuration and uses gate shielding techniques. This greatly reduces the parasitic effect of encapsulation and optimizes the heat transfer path to the bottom common source pad. High power density is achieved in an extremely small size (5 x 6 mm).
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