onsemi (Ansemi)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
FDMD8630 Dual N-Channel, PowerTrench MOSFET, 30 V, 167 A, 1.0 mΩ

FDMD8630

Dual N-Channel, PowerTrench MOSFET, 30 V, 167 A, 1.0 mΩ
部品番号
FDMD8630
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
PQFN-8
パッキング
taping
パッケージの数
3000
説明
This encapsulation integrates two internally connected N-channel devices in a common-source configuration. This results in extremely low encapsulation parasitics and an optimized thermal path to the bottom common source pad. Offers an extremely small footprint (5 x 6 mm), enabling higher power density.
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 72128 PCS
連絡先
のキーワード FDMD8630
FDMD8630 電子部品
FDMD8630 売上
FDMD8630 サプライヤー
FDMD8630 ディストリビュータ
FDMD8630 データテーブル
FDMD8630の写真
FDMD8630 価格
FDMD8630 オファー
FDMD8630 最安値
FDMD8630 検索
FDMD8630 を購入中
FDMD8630 チップ