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C3M0030090K
ZFET 900V, 30 MOHM, G3 SIC MOSFE
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-4L
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
39 mOhm @ 35A, 15V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 11mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
87nC @ 15V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1864pF @ 600V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
15V
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