C3M0065100K
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
部品番号
C3M0065100K
メーカー/ブランド
シリーズ
C3M™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
-
パッケージ・ケース
TO-247-4
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-4L
消費電力(最大)
113.5W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1000V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
35nC @ 15V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
660pF @ 600V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
15V
Vgs (最大)
+19V, -8V
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