PHKD3NQ10T,518
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
部品番号
PHKD3NQ10T,518
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchMOS™
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
2W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
21nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
633pF @ 20V
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