PHKD6N02LT,518
MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
部品番号
PHKD6N02LT,518
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchMOS™
部品のステータス
Last Time Buy
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
4.17W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10.9A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
20 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
15.3nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
950pF @ 10V
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