FQI27N25TU
MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
部品番号
FQI27N25TU
メーカー/ブランド
シリーズ
QFET®
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ
I2PAK (TO-262)
消費電力(最大)
3.13W (Ta), 180W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
250V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
25.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
110 mOhm @ 12.75A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
65nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2450pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 44002 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード FQI27N25TU
FQI27N25TU 電子部品
FQI27N25TU 売上
FQI27N25TU サプライヤー
FQI27N25TU ディストリビュータ
FQI27N25TU データテーブル
FQI27N25TUの写真
FQI27N25TU 価格
FQI27N25TU オファー
FQI27N25TU 最安値
FQI27N25TU 検索
FQI27N25TU を購入中
FQI27N25TU チップ