ON Semiconductor FQI2N30TU MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK を購入

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FQI2N30TU

MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK

部品番号

FQI2N30TU

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

QFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

サプライヤーデバイスパッケージ

I2PAK (TO-262)

消費電力(最大)

3.13W (Ta), 40W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

300V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

2.1A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

3.7 Ohm @ 1.05A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

5nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

130pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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