FQU2N100TU
MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
部品番号
FQU2N100TU
メーカー/ブランド
シリーズ
QFET®
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ
I-PAK
消費電力(最大)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1000V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
9 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
15.5nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
520pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 16713 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード FQU2N100TU
FQU2N100TU 電子部品
FQU2N100TU 売上
FQU2N100TU サプライヤー
FQU2N100TU ディストリビュータ
FQU2N100TU データテーブル
FQU2N100TUの写真
FQU2N100TU 価格
FQU2N100TU オファー
FQU2N100TU 最安値
FQU2N100TU 検索
FQU2N100TU を購入中
FQU2N100TU チップ