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FQU2N50BTU

FQU2N50BTU

MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
部品番号
FQU2N50BTU
メーカー/ブランド
シリーズ
QFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ
I-PAK
消費電力(最大)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
500V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
5.3 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.7V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
8nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
230pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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