IRLW610ATM
MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
部品番号
IRLW610ATM
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ
I2PAK (TO-262)
消費電力(最大)
3.1W (Ta), 33W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.5 Ohm @ 1.65A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
9nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
240pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
5V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 5981 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IRLW610ATM
IRLW610ATM 電子部品
IRLW610ATM 売上
IRLW610ATM サプライヤー
IRLW610ATM ディストリビュータ
IRLW610ATM データテーブル
IRLW610ATMの写真
IRLW610ATM 価格
IRLW610ATM オファー
IRLW610ATM 最安値
IRLW610ATM 検索
IRLW610ATM を購入中
IRLW610ATM チップ