IRLW630ATM
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
部品番号
IRLW630ATM
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ
I2PAK (TO-262)
消費電力(最大)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
27nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
755pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
5V
Vgs (最大)
±20V
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