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RFD10P03LSM

RFD10P03LSM

MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA
部品番号
RFD10P03LSM
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252-3
消費電力(最大)
-
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
200 mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
30nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1035pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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在庫あり 38690 PCS
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