RFD12N06RLE
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
部品番号
RFD12N06RLE
メーカー/ブランド
シリーズ
UltraFET™
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-251AA
消費電力(最大)
40W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
63 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
15nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
485pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±16V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 34884 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード RFD12N06RLE
RFD12N06RLE 電子部品
RFD12N06RLE 売上
RFD12N06RLE サプライヤー
RFD12N06RLE ディストリビュータ
RFD12N06RLE データテーブル
RFD12N06RLEの写真
RFD12N06RLE 価格
RFD12N06RLE オファー
RFD12N06RLE 最安値
RFD12N06RLE 検索
RFD12N06RLE を購入中
RFD12N06RLE チップ