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QS8M11TCR
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8
部品番号
QS8M11TCR
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Not For New Designs
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SMD, Flat Lead
パワー - 最大
-
サプライヤーデバイスパッケージ
TSMT8
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.5A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
-
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
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