QS8M12TCR
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
部品番号
QS8M12TCR
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Not For New Designs
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SMD, Flat Lead
パワー - 最大
1.5W
サプライヤーデバイスパッケージ
TSMT8
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
42 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
3.4nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
250pF @ 10V
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