Texas Instruments TPS1100D MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

TPS1100D

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

部品番号

TPS1100D

メーカー/ブランド

Texas Instruments

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

サプライヤーデバイスパッケージ

8-SOIC

消費電力(最大)

791mW (Ta)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

15V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

1.6A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

180 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

5.45nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

2.7V, 10V

Vgs (最大)

+2V, -15V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 47554 PCS

連絡先

関連製品

TPS1100D

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC