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TPS1101D

TPS1101D

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
部品番号
TPS1101D
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
消費電力(最大)
791mW (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
15V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
11.25nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.7V, 10V
Vgs (最大)
+2V, -15V
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在庫あり 36978 PCS
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