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TPS1120DG4

TPS1120DG4

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
部品番号
TPS1120DG4
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
840mW
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
15V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.17A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
5.45nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
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